刻蚀气体过滤解决方案，恒歌半导体过滤滤芯助力半导体制造

特种气体应用场景

干法刻蚀技术是指在非液体环境下，利用物理或化学手段去除硅片表面材料的过程，技术主要包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀(RIE)等，其核心在于利用特定气体在低压放电产生的等离子体中与材料发生反应，实现精确的图形转移。

相较于湿法刻蚀，干法刻蚀具有更高的精度、更好的方向性和更低的化学试剂使用量，干法刻蚀气体作为半导体制造中的关键材料，其性能直接影响到最终产品的质量和性能，因此在先进半导体工艺中得到了广泛应用。

常见的干法刻蚀气体包括氟基气体、氯基和溴基气体、钝化气体以及辅助气体等。这些气体在刻蚀过程中共同完成了对硅片表面材料的精确去除和图形转移。

常见的薄膜材料和刻蚀气体如下图：

电子制造业使用数百种不同类型的薄膜材料，选择最佳的刻蚀气体必须平衡几个不同的标准，如刻蚀速率、刻蚀形貌、选择性、均匀性等。

常见的干法刻蚀气体及其作用

氟基气体

氟基气体是干法刻蚀中最常见的一类气体，主要包括四氟化碳(CF₄)、三氟化氮(NF₃)、六氟乙烷(C₂F₆)等，四氟化碳是目前电子工业中用量最大的等离子刻蚀气体。这些气体以其高反应活性和良好的方向性，在硅基材料的刻蚀中展现出独特的优势。

氯基和溴基气体

氯基和溴基气体，如氯气(Cl₂)、溴化氢(HBr)等，以其优异的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率，在半导体制造中占据重要地位。氯气作为主要的刻蚀气体之一，在金属铝和硅的刻蚀中均表现出色。溴化氢作为一种较为新颖的刻蚀气体，具有与Cl₂相似的化学性质，但在某些方面表现出更优的性能。

钝化气体

在干法刻蚀过程中，为了控制刻蚀的方向性和保护非刻蚀区域，常常需要引入钝化气体，这些气体在刻蚀过程中与材料表面反应生成钝化层，阻止进一步的刻蚀反应。常见的钝化气体有氮气(N₂)、碳氟化合物(如CHF₃、C₂H₄)等。

辅助气体

在干法刻蚀过程中，除了上述主要刻蚀气体和钝化气体外，还经常需要引入一些辅助气体来优化刻蚀性能。氧气(O₂)是常见的辅助气体之一，它可以在等离子体环境中与刻蚀气体反应生成更具活性的自由基，从而加速刻蚀反应。氩气作为惰性气体，在干法刻蚀中主要起物理轰击作用。

恒歌刻蚀气体过滤产品

气体纯度是区分电子制造与工业应用中使用的材料质量的关键，任何杂质都会直接与半导体用硅片或显示器用玻璃进行接触，半导体工艺中这些气体需要99.999%的纯度甚至更高。

恒歌可以提供功能丰富强大的超纯气体过滤器，去除刻蚀气体中的微小杂质，对于如氯气等具有腐蚀性的气体，恒歌的MIGHTY-G全氟超纯气体滤芯可耐高温，耐强腐蚀，适合大宗气体、氧化性气体以及腐蚀性气体过滤。

对于半导体制程中的其他特种气体，恒歌也有相对应的产品作为解决方案。

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